摘要: Toshiba Electronics Europe (TEE)扩展其光电可控硅耦合器,推出超小型器件TLP163J,非常适于高器件密度应用。TLP163J具有增强的对于外部噪声的抵抗性,紧凑的小外形MFSOP6 SMT封装,尺寸仅仅4.4m...
Toshiba Electronics Europe (TEE)扩展其光电可控硅耦合器,推出超小型器件TLP163J,非常适于高器件密度应用。TLP163J具有增强的对于外部噪声的抵抗性,紧凑的小外形MFSOP6 SMT封装,尺寸仅仅4.4mm x 3.6mm x 2.5mm。其目标应用包括固态继电器,家用设备控制系统,办公自动化装置和其它要有设计人员能够节约空间与重量的高密度设计。
TLP163J 支持国际安全标准,额定最小5000Vrms的AC隔离电压。抵抗脉冲噪声典型值为2000V。
TLP163J由光耦合到红外LED的过零光可控硅输出组成。峰值截止电压600V,有效地开态电流70mA,LED触发电流10mA。
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