近日，应用材料公司(Applied Materials)推出Applied Producer eHARP 系统，为32纳米及更小工艺节点上关键的STI(浅沟槽隔离)器件结构提供已被生产验证的HARP SACVD空隙填充技术。eHARP工艺能够提供无孔薄膜，用于填充小于30纳米、长宽比大于12:1的空隙，从而满足先进存储器件和逻辑器件的关键制造要求。该系统拥有多项工艺创新专利，能提供强劲的高密度应力诱导薄膜，帮助推动传统的平坦化和新兴的3-D器件结构向更小的技术节点发展。
    
     应用材料公司副总裁兼电介质系统和化学机械研磨事业部总经理Bill McClintock表示："Producer eHARP系统为客户提供了32纳米及更小技术节点上STI空隙填充的发展路径，同时也不需要对现有的工艺流程进行过大的改动。客户们对eHARP系统的能力感到非常兴奋，其中一些重要的器件生产厂商还将eHARP选定为先进逻辑器件和存储器件开发制造的参考系统。"
    
     Producer eHARP技术同非CVD空隙填充技术相比，能够提供最低的每片晶圆成本。eHARP薄膜不含碳，不需要保护层或者覆盖层，能方便地和传统化学机械研磨工艺整合，并提供可靠强劲的器件隔离效果。此外，eHARP系统工艺中所使用的化学物品已经经过验证，不会产生有害的液体副产品，因此也不需要特殊的化学处置。
    
     eHARP工艺基于应用材料公司的Producer平台，该平台被业内每一家芯片制造厂商用于包括低k沉积、应力工程、光刻薄膜、PECVD和SACVD等先进应用中。超过500台Producer系统已经被运送到客户处用于SACVD应用，进行升级后它们全部可以运行eHARP工艺。
    
     详情见：http://appliedmaterials。com/products/eharp_4。html