Samsung Electronics宣布两款Samsung 2-gigabit (Gb) DDR3解决方案通过了Intel新款Core i7 (Nehalem) PC平台的验证。通过Intel验证程序的2Gb DDR3器件是DDR3 SDRAM芯片(x8)以及用于台式PC机的4-gigabyte (GB) 1066Mbps DDR3模块。
    
     全新经验证的DDR3解决方案基于高级50nm工艺和去年9月开发的2Gb存储器件。通过采用50nm级工艺，Samsung的2Gb DDR3模块相对于1Gb DDR3能够消耗少很多功耗，1.333Mbps时最大少40%。
    
     Samsung与Intel密切的合作已经推动其最高级的DRAM技术和产品工艺的开发，从而能够显著改善系统系统，并满足快速入市的需求。