华虹半导体有限公司拥有业界一流的的沟槽型600V-700V Super Junction (超级结结构) MOSFET (SJNFET) 工艺平台，可为日益增长的移动终端、4G网络、云计算和LED照明等热点应用，提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的绿色芯制造平台。

  随着移动互联网、绿色能源技术的发展，以及全球节能减排的趋势，产品应用对电源系统提出更高的效率要求。作为开关电源，充电器/适配器，不间断电源和LED驱动等电源系统整流的核心器件，功率半导体是降低功耗、提高效率的关键。革命性的超级结结构器件应运而生，打破了传统MOSFET器件的「硅极限」(导通电阻正比于击穿电压的2.4~2.6次方)，在同样的封装条件下能够实现更低的导通阻抗和更快的开关频率。目前，这一技术主要由少数几个国际产品大厂所掌握，华虹作为专业的200mm纯晶圆代工厂，创新性地推出了先进的SJNFET工艺平台，可以为广大客户提供业界一流的SJNFET产品制造服务。

  凭借10多年的功率器件技术优势，华虹于2010年突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题，推出了独特的具有自主知识产权的沟槽型SJNFET工艺平台，可以支持500V~900V不同电压等级的产品生产。与传统的多层外延型SJNFET工艺相比，沟槽型结构具有光刻层次少、结构简单、高温特性好、制造周期短和性能提升潜力大等优点。同时，华虹在北美有超过10个，中国内地超过100个的SJNFET相关专利授权，可以为客户提供平台化代工服务，极大地缩短客户产品time-to-market的时间。

  多家客户基于华虹平台设计的SJNFET产品展现出优异性能，并于2011年实现量产。在此基础上，华虹于2012年底又成功推出第二代SJNFET工艺平台，与第一代产品相比导通电阻降低了30% (单位面积导通电阻1.8 ohm.mm2)，达到业界一流水平，并且拥有更快的开关速度、更低的开关损耗、更小的芯片面积、更强的短路耐量和抗电磁干扰能力。到目前为止，华虹SJNFET工艺平台已有全球合作伙伴超过20家，工艺良率稳定在98%以上，为业界一线终端厂商提供可靠的高压功率芯片。截至2014年八月，公司SJNFET平台出货量已超过4万片。

  华虹将继续发挥自身工艺和研发优势，拟推出世界领先的第三代SJNFET工艺平台，进一步巩固公司于功率分立器件领域的领先地位，协助客户推出更具竞争力的产品，持续为世界制造绿色芯。