研发制造精密材料工程设备与软体的应用材料公司上午发布新开发的Applied ReflexionR LK Prime化学机械研磨 (CMP)系统，及AppliedProducerR XP Precision化学气相沉积 (CVD)系统。两项创新的CMP和CVD机台，能够直接处理精密、材料和瑕疵的问题，帮助3D设计达到高量产制造。

  应材表示，CMP提供优异的晶圆研磨性能，在鳍式场效电晶体(FinFET)和3D快闪记忆体 (NAND)应用上，精准度高达奈米等级。CVD可解决垂直3D NAND架构上所苛求的基本沉积挑战。

  应材强调，已有多家客户决定采用今天推出的机台，「为客户先进的3D 逻辑与记忆体晶片进行量产，彰显了我们最先进技术的价值。」

  应材执行副总裁暨半导体系统事业群总经理蓝迪尔.塔克(RandhirThakur)表示，行动趋势带动复杂3D架构需求，亟需全面性的创新技术和材料，才能够让这些设计达到元件效能最佳化和高良率。

  CMP设计主要目的是满足新元件架构的需求与条件，最多可增加十道研磨步骤，六个研磨台面以及八个清洁台面，搭配先进的制程控制技术，LK Prime机台可支援更多精确处理的CMP步骤，让客户能够改善晶圆效能及产出。

  Reflexion LK Prime系统平台上新增的制程模组，让许多采用此系统的晶圆产出倍增，最多提升达100%的生产力，能客制化研磨程序，精准控制尺寸，减少瑕疵品。

  CVD系统由奈米等级层对层薄膜厚度控制，让整片晶圆线宽均匀度可支援3D NAND转型。系统专属设计和独特功能能调整温度、电浆和气流等关键参数，提供客户支援不同类型高品质、低瑕疵薄膜的交替沉积制程及优越的应力控制能力，提升闸极效能，减少元件变异性。

  应材是全球五百大公司之一，制造先进半导体、平面显示、太阳光电各项设备、服务及软体产品，强调先进技术可协助智慧型手机、平面电视及太阳能电池更具成本效益，更方便使用。