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鈺创科技发布最新USB3.0快闪记忆碟控制晶片- EV26699

来源:http://news.hqew.com/info-272235.html 发布时间:2013-05-31

摘要: 看好USB 3.0随身碟控制IC产品的市场爆发力,鈺创科技将于2013 Computex Taipei展会上,发表该公司再度缔造全球最快速度之USB3.0快闪记忆碟控制晶片 — EV26699,其读取/写入速率达320/280 Mega Bytes / sec...

    看好USB 3.0随身碟控制IC产品的市场爆发力,鈺创科技将于2013 Computex Taipei展会上,发表该公司再度缔造全球最快速度之USB3.0快闪记忆碟控制晶片 — EV26699,其读取/写入速率达320/280 Mega Bytes / second之佳绩。同时,鈺创科技将于国际USB-IF协会之SuperSpeed USB Community专区上,展示该公司横跨USB 3.0主端到装置端全系列晶片,邀请各系统厂商、业界专家及消费大眾参观及使用该公司诸多通过国际USB-IF认证的USB 3.0晶片,六月四日至八日「台北国际电脑展(Computex Taipei 2013)」期间,意者可前往台北南港展览馆四楼国际USB-IF之SuperSpeed USB Community专区 (No.N0608),或光临鈺创科技位于台北市信义计划区世贸一馆展示摊位(No.C0217)参观。

    鈺创科技最新USB3.0快闪记忆碟控制晶片— EV26699採独特的双通道快闪记忆体介面,具备先进之72位元纠错能力(ECC),可支援多家快闪记忆体大厂于2?奈米及1?奈米先进製程之NAND Flashes產品。EV26699在搭配SLC快闪记忆体使用时,读取/写入速率最高可达每秒320/280 Mega Bytes;而搭配MLC快闪记忆体使用时,读取/写入速率亦可达每秒300/280 Mega Bytes。EV26699在硬体规格上可支援16CE或8CE两个版本,可採88-pin或64-pin QFN封装。

    鈺创科技提供完整之双通道USB3.0快闪记忆碟控制晶片系列,包括:最佳性价比之EV266系列、高速度EV2669 Accelerator系列、全球超高速之EV26699系列等。
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