东芝采用第八代工艺打造高性能低导通电阻MOSFET

来源：http://news.hqew.com/info-266963.html 发布时间：2012-12-12

摘要： 东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低导通电阻MOSFET——TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造，可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R2...

东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低导通电阻MOSFET——TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造，可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到该产品系列中，成为现有型号的换代产品。所有三款产品均有助于降低设备厚度和总体尺寸，并可提高效率。

应用

1. 锂离子电池保护电路

2. 手机电源管理开关

主要特点

1. 由于采用了最新的第八代工艺，因此产品的导通电阻比现有的东芝产品要低。

2. 采用了TSON Advance封装，可提供出色的散热性能。

3. 高抗雪崩性能。