致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Microsemi Corporation）宣布推出用于大功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二次监视无线电 (secondary surveillance radio, SSR)应用的射频(RF)晶体管系列中的首款产品1011GN-700ELM。SSR用于发送信息至装备有雷达应答器的飞机并收集信息，允许航空交通控制系统识别、跟踪和测量特定飞机的位置。美高森美新型700W峰值1011GN-700ELM器件的工作频率为1030MHz，并且支持短脉冲和长脉冲扩展长度信息(extended length message, ELM) 。新型晶体管基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC) 技术，这项技术特别适合大功率电子应用。

 

       美高森美公司RF集成系统产品部门副总裁David Hall表示：“我们积极推进下一代GaN on SiC功率器件的开发，把握不断增长的更高性能航天和军事应用的机会。通过发布新产品，我们现在提供功率为250、500和700W的高可靠性GaN on SiC晶体管，用于二次监控雷达搜索和跟踪应用。我们还在研发多个其它GaN on SiC晶体管产品，将于今年稍后时间推出。”

 

       美高森美即将推出的产品包括多个用于L，S和C波段雷达系统的高脉冲功率GaN on SiC晶体管，还提供一整套GaN微波功率器件，包括S波段雷达型款：2729GN-150，2729GN-270，2731GN-110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在开发的数款新产品包括用于涵盖960-1215 MHz的L波段航空电子产品；涵盖1200-1400MHz的L波段雷达，以及涵盖2.7-2.9 GHzS波段雷达的较大功率器件。

 

       关于1011GN-700ELM RF晶体管

 

       1011GN-700ELM晶体管具有无与伦比的性能，包括700W峰值功率，21dB功率增益，以及1030 Mhz下70% 漏极效率，以期降低总体漏极电流和热耗散，其它的主要产品特性包括：

 

短脉冲和长脉冲间歇模式:     ELM =  2.4 ms, 64%和6.4% LTD

出色的输出功率:               700W 高功率增益:                      

>21 dB

最小值受控的动态范围:               增量1.0dB，总计15 dB

漏极偏压  -  Vdd:                   +65V

 

       使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括：

 

       采用简化阻抗匹配的单端设计，替代需要附加合成的较低功率器件较高峰值功率和功率增益，用于减少系统功率放大级数和最终功率级合成单级配对提供带有余量的1.3kW功率，四路结合提供4 kW的总体系统功率 65V的高工作电压，减小电源尺寸和直流电流需求极高的稳健性，提高系统良率放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS工艺器件减小50%

 

封装和供货