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IR推出低导通电阻的车用功率MOSFET

来源:http://news.hqew.com/info-261254.html 发布时间:2012-08-14

摘要: 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动...

       全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。

                                   

       AUIRFR4292和AUIRFS6535采用IR最新一代已被验证的车用功率MOSFET技术,扩展了IR的车用MOSFET产品系列,将击穿电压提高到了300V。250V的AUIRFR4292采用DPAK封装,最大导通电阻达345mΩ,而300V的AUIRFS6535采用标准D2PAK封装,其最大导通电阻为185 mΩ。

       IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“这些最新的250V和300V功率MOSFET产品可在标准表面贴装封装中提供低导通电阻,非常适合压电喷射应用,因为该应用需要高电压来驱动促动器,以确保比磁螺线管喷射系统实现更快的反应速度和更精准的控制。”

       所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及100%自动晶圆级目视检查。AEC-Q101标准要求器件在经过1,000次温度循环测试后,导通电阻变化幅度不能超过20%。然而,经过延长测试后,IR的新AU物料单在5,000次温度循环时的最大导通电阻变化低于10%,体现了该物料单的高强度和耐用性。

       新器件符合AEC-Q101标准,所采用的材料环保、不含铅,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

 

规格

器件编号

封装

V(BR)DSS(V)

10VGS下的最大导通电阻(mΩ)

TC25°C时的ID最大值(A)

10VGS下的QG 典型值(nC)

AUIRFR4292

DPAK

250

345

9.3

13

AUIRFS6535

D2PAK

300

185

19

38

 

       新产品现正接受批量订单。相关数据、应用说明和认证标准请浏览IR的网站www.irf。com。IR还根据客户需求提供spice和saber 模型。(责编:damon)

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