2012年7月11日，应用材料公司推出了Applied Endura? Amber? 物理气相沉积（PVD）系统，突破了连接芯片上数十亿晶体管电路的互连技术极限。该系统采用了革命性的铜回流技术，是唯一被证明能够在1X纳米技术节点无空隙填充铜结构的单腔体解决方案，它曾是先进逻辑和存储器件制造的一项关键挑战。

       应用材料公司副总裁兼金属沉积产品事业部总经理Sundar Ramamurthy表示：“Applied Endura Amber系统提供了突破性的解决方案，既能够实现20纳米技术节点以下互连的微缩，又能保持良好的产品成品率。应用材料公司通过能够在几乎任何器件技术节点上实现快速、无空隙互连结构填充的独特系统拓展了其业界领先的PVD技术。客户对该设备产生了巨大的反响，有30多个腔体已被投入使用，它已经成为众多领先逻辑和存储器件制造商的优选设备。”

       如今的高密度微芯片拥有错综复杂的多层网络，铜线总长超过60英里，层与层之间还有多达100亿个垂直连接或通孔。未来，这些数字还会大幅上涨，并且随着互连结构变得更窄、更深，利用传统技术完全可靠地填充铜互连结构将会变得极其困难。在1X纳米技术节点，这是一个重大问题，因为只要有一个空隙就会让芯片变得毫无用处。

       应用材料公司的Amber铜回流技术解决了这项关键挑战，将这些细小结构的问题转变成了优势。在毛细作用下，所沉积的铜被吸入到乃至最小的结构里，自下而上填充，从而快速、无空隙地填充任何芯片上的所有大小结构。

       Amber系统立足于大获成功的Endura CuBS RFX PVD系统所率先采用的创新技术。CuBS RFX系统独一无二的选择性PVD技术，可提供准确的沉积轮廓（下端更厚且无铜悬突），这是实现后续回流工艺的必要条件。

       Applied Endura Amber PVD系统是应用材料公司将在SEMICON West 2012展会（7月10至12日）上展示的多个重要的新产品之一。更多信息可通过登陆应用材料公司的在线展台www.becauseinnovationmatters。com获得，该网站将会在展会期间实时更新。