Rambus与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布双方合作开发的两款独立记忆体架构式矽测试晶片的成果。第一款测试晶片是专为智慧型手机和平板电脑等行动记忆体应用所设计的解决方案，第二款测试晶片则是专为伺服器等运算主要记忆体应用所设计的解决方案。  

       这两款测试晶片均采用格罗方德的28奈米超低功率(28nm-SLP)制程，为目前先进的系统单晶片(SoC)发展提供最省电及具最高效能的类比/混合讯号的产品，功耗及效能方面更是超出预期。  

       Rambus半导体事业部资深副总裁暨总经理Sharon Holt表示，与格罗方德合作，对Rambus承诺持续创新并推出最佳电子产品效能至关重要。格罗方德的28nm-SLP制程以最佳的功率效率，实现Multi-GHz资料传输率。  

       格罗方德设计支援服务部资深副总裁钱穆吉指出，28nm-SLP技术为系统单晶片设计师提供稳定的制程选项，适用于新一代的多功能消费性产品及行动装置，并确保功耗最佳化，是在市场中取得成功的重要关键。与Rambus合作，展示格罗方德拥有的能力与设计实现生态系统，以提供业界最具成本效益且多样化的28SLP制程。  

       Rambus的行动和伺服器记忆体架构能满足未来系统在三维(3D)游戏、高画质视讯串流、撷取和编码等各种应用带动下持续成长的效能需求，同时提供最佳的功率效率。随着串流影片、智慧型手机、平板电脑和其他智慧型行动装置日益普及，为搭载最新功能组合的装置提供必要频宽的新一代动态随机存取记忆体(DRAM)技术的需求也将与日俱增。  

       格罗方德的28nm-SLP技术是专为新一代的智慧型行动装置所设计，以实现处理速度更快、体积更小、待机功耗更低以电池寿命更长的设计。这项技术是以块状矽(Bulk CMOS)基板为基础，并采用与高介电常数金属闸极(HKMG)相同的「闸极优先(Gate First)」方法，并已开始在格罗方德位于德国德勒斯登的晶圆1厂内量产。  

在过去两年里，Rambus与格罗方德已合作设计出多款28nm-SLP测试晶片，包括核心Rambus记忆体架构的行动和伺服器应用。这些测试晶片运用格罗方德所提供的各种设计支援及解决方案，包括制程设计套件(PDK)、延伸实施服务及其DRC+可制造性设计技术。在此之前，在高速实体层(PHY)设计上，格罗方德组装支援团队还为Rambus提供焊线和覆晶等封装方案。