近日，恩智浦半导体今日推出业内首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN （分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。

       即将面世的新型 PMPB11EN和 PMPB20EN 30V N沟道MOSFET是采用恩智浦 DFN2020MD-6 (SOT1220) 封装的20多类器件中率先推出的两款产品。这两款MOSFET的最大漏极电流(ID)大于10A，10V时的超低导通电阻Rds(on)分别为12 mOhm（典型值）和16.5 mOhm（典型值），因此导通损失小，功耗更低，电池使用寿命更长。

       新型DFN2020 MOSFET高度仅为0.6毫米，比当今市场上大多数2 mm x 2 mm的产品更加轻薄，是智能手机和平板电脑等便携应用设备中超小型负载开关、电源转换器和充电开关的理想之选。该款MOSFET还适用于其他空间受限应用，其中包括直流电机、服务器和网络通信以及LED照明，在这类应用中功率密度和效率尤为关键。DFN2020的封装尺寸仅为标准SO8封装的八分之一，提供与其相当的热阻，能够代替具有相同导通电阻Rds(on)值范围的许多大型MOSFET封装，如SO8封装、3 mm x 3 mm封装或TSSOP8封装。

       新型MOSFET提升了恩智浦超小型无引脚MOSFET产品线，截止到今年年末将有超过60种封装，封装尺寸为2 mm x 2 mm或1 mm x 0.6 mm。如今，恩智浦是超小型低导通电阻Rds(on) MOSFET的主要生产商，提供电平场效应晶体管(FET)和双极晶体管技术。

       有关恩智浦新型DFN2020 MOSFET的更多信息，请访问http://www。nxp。com/ultra-small-mosfets

链接

·         PMPB11EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、12 mOhm典型RDSon（10 V时）：http://www。nxp。com/pip/PMPB11EN

·         PMPB20EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、16.5 mOhm典型RDSon（10 V时）：http://www。nxp。com/pip/PMPB20EN

·         DFN2020MD-6封装：http://www。nxp。com/packages/SOT1220.html

·         视频：首款2x2mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET：http://www.youtube。com/watch?v=QnEWyTKjqZk