嵌入式市场闪存解决方案的创新领军者Spansion公司于日前宣布其首个单层单元(SLC)系列Spansion? NAND闪存产品开始出样。这一最新SLC NAND闪存产品采用4x nm浮栅技术，专门用于汽车、消费及网络应用的数据存储需求。Spansion SLC NAND将分为3.0V和1.8V两个系列，存储容量在1 Gb到8 Gb之间，该产品性能更为出色、温度范围更广、享有长期技术支持并且符合严格的可靠性要求，例如1位错误校正码(ECC)。此外，Spansion还公布了一份到2017年为止的SLC NAND产品完整规划图。

       Spansion SLC NAND产品进一步完善了公司产品组合包括丰富的并行及串行NOR闪存系列产品。若产品设计要求高性能的代码执行和数据存储以创造丰富的用户体验时，设计师可以选择Spansion的并行或串行NOR闪存。新的Spansion SLC NAND闪存解决方案不仅能够满足日益增长的数据存储需求，而且继承了Spansion产品可靠性高、使用寿命长的优点。依托Spansion丰富的NOR和NAND闪存产品组合，嵌入式设备制造商现在可以获得各种类型的非易失性存储器产品，且全部享有Spansion业内首屈一指的客户支持和服务。

       Spansion未来五年的技术规划图包括目前采用4x nm浮栅技术的1 Gb到8 Gb SLC NAND解决方案，到2012年底将升级至3x nm浮栅技术，并在2014年升级至2x nm。

       Spansion公司产品市场副总裁Bob France表示：“智能手机上的App正大举进军机顶盒、数字电视，甚至汽车等多种平台。这意味着嵌入式系统会变得更加复杂，而应用程序的存储需求也会不断扩大。面对这一市场趋势，新的Spansion SLC NAND闪存应运而生，完美平衡了非凡性能、坚固可靠、存储容量范围以及长期技术支持，满足了嵌入式系统设计师的需求。”

Spansion SLC NAND 闪存系列主要规格/性能指标：

       采用4x nm浮栅处理技术

       适用工业温度范围：-40℃至+85℃

       可靠性高：复写次数高达100,000次，且仅需1位错误校正码

       同类最佳的SLC NAND闪存性能：随机存取时间为25 μs，顺序存取时间为25 ns，写入时间为200 μs

       采用Spansion通用引脚尺寸实现业界标准48引脚TSOP封装

       业界标准NAND信号接口和指令集

       补充Spansion FFS软件，含定制软件驱动和闪存文件系统软件长期技术支持

       3.0 V 1 Gb、2 Gb和4 Gb单片解决方案现已出样

       1.8 V 1 Gb、2 Gb和4 Gb单片解决方案将于2012年底出样

       8 Gb 解决方案将于2012年下半年出样

相关资源：

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