英飞凌发布业界首个快速体二极管的超结MOSFET解决方案

来源：http://news.hqew.com/info-213954.html 发布时间：2012-04-17

摘要： 近日英飞凌科技宣布推出全新650VCoolMOSCFDA，其目的在于壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650VCoolMOSCFDA尤其适用于...

近日英飞凌科技宣布推出全新650VCoolMOSCFDA，其目的在于壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650VCoolMOSCFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID（高强度放电）照明等谐振拓扑。

英飞凌推出的这种全新解决方案兼具快速开关超结MOSFET的所有优点：更高的轻载效率、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更易使用以及出类拔萃的可靠性等。英飞凌全新推出的650VCoolMOSCFDA，是一种卓越的解决方案，可满足汽车应用对于更高能效的要求，它具备更低的单位面积通态电阻和易于控制的开关行为，以及业界首屈一指的体二极管耐用性。体二极管重复换向时更低的Qrr和Qoss值可降低开关损耗和缩短开关延迟时间。

英飞凌科技高压功率转换产品部负责人Jan-WillemReynaerts指出：“英飞凌依托于革命性的CoolMOS工艺，在能源效率和功率密度方面独占鳌头。650VCool-MOSCFDA进一步壮大了CoolMOSCFD产品家族的阵容，树立了快速发展的电气化汽车的性能新标杆。”

快速电流与电压瞬变以及更软换向行为的良好可控性，有助于降低EMI（电磁干扰），使这种新产品系列相对竞争产品具备明显优势。硬换向时，体二极管上有限的电压过冲使电路设计与PCB设计更为轻松。CoolMOSCFDA具备650V击穿电压，这意味着相对于600V击穿电压具备更高的安全裕度。（责编：叶松柏）

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