摘要: 4月23日,北京讯 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。 ...
4月23日,北京讯
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与
4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。
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