Diodes推出新型高速开关二极管占板面积小低剖面封装

来源：http://news.hqew.com/info-212532.html 发布时间：2012-03-19

摘要： 近日Diodes Incorporated 推出一系列新型高速开关二极管，该开关二极管具有占板面积小、低剖面封装等特点，对于降低器件数量及电路板面积有很大帮助。这一些列二极管除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Vo...

近日Diodes Incorporated 推出一系列新型高速开关二极管，该开关二极管具有占板面积小、低剖面封装等特点，对于降低器件数量及电路板面积有很大帮助。这一些列二极管除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装，以供顾客选择。

这些单二极管、双二极管和双双（串联及共阴极）二极管配置能发挥多种功能，包括交流信号整流、数据线保护、反向电池保护和直流-直流转换，适用于对轻巧和纤薄产品设计有较高要求的手机、平板电脑和笔记本电脑。

该开关二极管系列的总电容性能从2pF到最高4pF，确保把高带宽输入信号的失真或衰减情况减至最少。此外，这些二极管还具备高达85V的击穿电压，可从容应对最强烈的开关电路瞬态峰值。（责编：叶松柏）

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