恒忆(Numonyx B.V.)于日前宣布，已经将高密度NOR闪存产品拓展到65纳米(nm)工艺光刻，以满足嵌入式客户的需求。根据该公司的声明，迁移到65纳米工艺技术，将提供性/价平衡，确保延长产品生命周期，这两者均是原始设备制造商(OEM)针对嵌入式细分市场进行设计的重要因素。这些产品非常适合在消费性电子装置、有线通信设备和工业应用中使用。恒忆正在拓展其M29系列，目前正在向关键客户供应样品——2009年上半年将开始大量生产。
    
      恒忆公司嵌入式业务部的副总裁兼总经理Glen Hawk说，“我们的客户要求在信任可靠的技术和制造源的基础上，平稳供应密度和架构广泛的产品。我们能够加快嵌入式产品向65纳米的迁移，从而满足这些需求。这些产品采用我们的第六代StrataFlash®多级单元(MLC)技术（自2006年开始生产）——将代码可靠的产品融入到高度稳定的制造工艺中。”     
    
      嵌入式应用中加入65纳米工艺，使得恒忆能够支持很长的产品生命周期，并提供增强的产品功能和成本效率。恒忆NOR产品为嵌入式市场同时提供了并行和串行解决方案。恒忆工业标准的闪存(M29)以其更多的性能优势、易使用性和可靠性，从而满足了苛刻的嵌入式设计的需求。恒忆StrataFlash嵌入式存储器(P30/P33)是恒忆公司支持突发粒度、高密度、高性能的代码和数据解决方案。恒忆嵌入式闪存(J3)继续提供范围广泛的密度用于遗留设计。业界标准的恒忆串行闪存(M25)的接口引脚数少，封装较小，简化了主板设计，节省了主板空间，适合DTV、DVD、PC、调制解调器和打印机等一系列应用。