（华强电子世界网讯）意法半导体公司(ST)推出采用90nm工艺技术的128Mb NAND闪存器件——NAND128W3A2BN6E。90nm技术降低了闪存芯片的成本和功耗。这些闪存广泛应用于如数码相机、录音机、PDA、机顶盒(STB)、打印机和各种闪存卡等消费类电子产品。据介绍，NAND128是目前市场上唯一采用90nm工艺技术的128Mb闪存。
    
     NAND128具有超快的数据吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址线和数据输入/输出信号在8位总线上复接，降低了引脚数量，允许使用标准组件的NAND接口，使制造商能生产更高(或更低)容量的产品，而不用改变占位面积。
    
     该公司提供的软件工具链有助于加快产品开发速度，并延长存储器芯片的使用时间。工具包括误差修正码(ECC)软件；用来识别和替代区块的坏区块管理(BBM)(在擦除或编程操作时，通过将数据复制到正确区块实现)；通过在所有区块分配“擦除和程序”(Erase and Program)操作的Wear Leveling算法，以优化器件的使用年限；文件系统OS参考软件，以及硬件仿真模型。
    
     此存储器有1024个名义上16KB区块，每个能分成512B的页，每页有16个空余字节(B)，它能按页来读取和编程。空余字节可用作误差修正码(ECC)、软件标识或坏区块识别。“复制后程序”(Copy Back Program)模式使得存储在一页的数据能直接编程到另外一页，而不需要外部缓冲，这种特性典型用来转移数据。如果页编程由于有缺陷区块而操作失败时，还提供区块指令，区块擦除时间2ms。每个区块有10万次编程和擦除，以及10年数据保存期。
    
     该器件具备“Chip Enable Don't Care”特性，简化了微控制器接口，并且使NAND闪存与其它类型存储器(如NOR闪存和SRAM)混合使用时更有效率。该器件出厂时标记唯一识别码，用户可编程序号增加了目标应用的安全性。