韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于6月3日宣布成功开发出采用3重单元（3bit/单元）技术的32Gbit NAND型闪存。此次开发出的产品与原来的多层单元（MLS）技术相比，芯片面积能减少30％以上，可大大节约成本。该公司将以此新技术为基础，把仅限于量产16Gbit产品的48nm工艺扩大至32Gbit产品领域。该公司计划从10月开始量产。
    
      新产品是由8枚芯片组成的一个封装，通过将存储量增加到32Gbit，可保存8000首“MP3”音乐数据、20部DVD画质的电影、3万6000张高像素照片或是相当于上述容量的庞大信息。
    
      另外，此次的产品遵循“ONFI（Open NAND Flash Interface）”标准，所以也是“BA（Block Abstracted）”NAND型闪存产品。该产品利用“MSP(Memory Signal Processing)”技术，消除了单元间的干扰现象，解决了这个存在于3重单元产品中的最大障碍。这样，原来的MLS技术今后可以应用于4重单元等新一代产品，此外还有望突破工艺微细化的极限，继续保持存储器的bit增长。