MLC（Multi-Level Cell，多级单元）技术两年前在NAND型闪存产业掀起了一阵波涛，SanDisk和东芝（Toshiba）阵营一路领先，让三星电子（Samsung Electronics）和海力士（Hynix）吃尽了苦头。经此教训，各厂商对于下一代x3（3-bit-per-cell）技术均不敢轻视，纷纷掀起卡位战，SanDisk和东芝阵营可能再度抢得头排，三星预计2008年推出，海力士获SanDisk授权后，还没有确切的量产时间表，至于英特尔（Intel）也不会缺席，然而至今仍未表态。
    
     过去NAND闪存每年成本下降幅度都约在40%左右，带动NAND闪存的价格快速下滑，值得注意的是，受到制程难度提升及性能递减的影响，自2006年起这样的成本下降法则已明显被打破，然而这也促使各大NAND闪存厂商兴起下一代技术x3追逐战。
    
     内存厂商表示，两年前NAND闪存市场由SLC（Single-Level-Cell，单级单元）转到MLC时，SanDisk和东芝抢先量产MLC，使得晚一年量产的三星背负不小压力，甚至发生三星了承诺给苹果（Apple）iPod的NAND闪存是MLC芯片，但因为制程良率有问题，最后只能以成本较高的SLC交货给苹果。
    
     由于MLC是在一个内存单元（cell）里放入2bit信息，而x3技术则是在1个内存单元中放入3个位，成本可进一步下降，未来追逐NAND闪存生产成本持续下降，制程微缩成本将愈趋明显，x3或x4技术绝对是主流趋势。不过，从SLC世代技术到MLC时代，NAND闪存成本下降约50%，然从MLC转到x3技术，或是x3到x4世代，成本下降速度恐怕不会这么快。
    
     目前SanDisk和东芝阵营拥有技术和专利优势，在x3技术极有机会抢得头排，最先导入量产及出货；而根据三星Flash Day所揭幕的计划，x3技术将于2008年问世，有着MLC前例在先，三星这次绝对不敢轻忽；至于海力士日前已获得SanDisk授权采用x3技术生产，然而目前海力士还未公布量产的时间表；英特尔方面也仍未宣布量产时间点，不过x3技术大战，依照英特尔的技术实力，绝对是不会缺席的。
    
     此外，研究机构Web-Feet Research预测，2012年起大部分NAND闪存厂商都将导引x3技术，届时x3技术的市场占有率将达52.8%，成为NAND闪存市场主流，MLC型产品则占25.4%，至于更新世代的x4（4-bit-per-cell）技术占16.6%，SLC技术则只占4.4%。