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TDK MLC NAND闪存控制IC 10月量产

来源:http://news.hqew.com/info-144041.html 发布时间:2007-08-31

摘要: TDK将涉足基于多级单元(MLC:Multi-level Cell)技术的NAND闪存的控制器IC业务。首先将于2007年10月量产支持多级单元和单级单元(SLC:Single-level Cell)两种方式的控制器IC“GBDriver R...

     TDK将涉足基于多级单元(MLC:Multi-level Cell)技术的NAND闪存的控制器IC业务。首先将于2007年10月量产支持多级单元和单级单元(SLC:Single-level Cell)两种方式的控制器IC“GBDriver RA7”。
    
     TDK是日本国内唯一一家将闪存用控制器IC作为标准产品销售的厂商,此前只生产支持二值单元的产品。支持二值单元的产品主要面向产业设备等可靠性要求较高的用途。今后,还将面向更重视价格的民用设备市场推出支持MLC的产品。具体是,预计配备于数码摄像机、数码相机以及MP3等产品。
    
     GBDriver RA7可以通过一枚芯片来控制4KB/页面结构的NAND闪存。如果是MLC方式的NAND闪存,可实现2GB~32GB的容量,而SLC方式的NAND闪存则可实现1GB~16GB的容量。突发式(Burst)写入速度为23MB/秒,读取速度为24MB/秒。错误修正采用的是8位/扇区的ECC。
    
     此前,海外厂商此前也投产了同时支持SLC和MLC的控制器IC。TDK表示,“广泛应用于数字家电的MLC方式在日本国内有很多用户。我们在国内拥有生产和开发团队,因此在支持体制上占有优势”。
    
     新IC的封装方面,除了与原产品相同的128引脚的TQFP(16mm×16mm)外,还备有100引脚的VFBGA(8mm×8mm及6mm×6mm)。样品价格为2000日元(约合17.5美元/132人民币)。
    

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