IBM与日本TDK达成联合开发所谓STT-RAM。在STT-RAM中，加到磁铁上的电流会改变磁场的方向，磁场方向的改变会引进阻抗的变化，不同的阻抗代表“1”或“0”。
    
     根据目前的计划，IBM和TDK将在未来4年中开发采用65纳米工艺的原型STT-RAM产品。
    
     硅谷一家新创公司Grandis也在试图推出商业性STT-RAM产品。Grandis正在为潜在客户生产样品芯片，计划在明年末正式在市场上推出相应产品。
    
     此前，IBM一直在开发一种名为MRAM的更传统类型的磁性内存。但是，它在缩小这类芯片的晶体管方面遇到了困难。
    
     IBM负责非挥发性内存研究高级经理盖拉尔说，在缩小MRAM芯片时，需要提高磁场强度，这几乎是不切实际的。要采用比65纳米工艺更先进的工艺，我们必须找到一种写数据的新机制。
    
     IBM生产出了MRAM原型产品，但使用了较落后的工艺。IBM还没有推出商品化的MRAM产品。尽管已经推出了商品化MRAM，但飞思卡尔最近对这种技术的“寿命”表示了怀疑。
    
     在上周的“闪存峰会”上，飞思卡尔的大卫表示，MRAM可能不适用于比65纳米更先进的工艺。
    
     盖拉尔表示，STT-RAM和相变内存可能是未来非挥发性内存的二种可能的技术。STT-RAM的速度较高，但相变内存的存储密谋更高。他说，STT-RAM的的寿命可能会较长。