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极速体验 南亚易胜推出DDR3-1066高速内存

来源:http://news.hqew.com/info-143117.html 发布时间:2007-08-16

摘要: DDR2内存自推出以来,始终步履蹒跚,经过各方的努力,虽然现在总算开始大量应用,但其性能瓶颈时常遭人诟病。因此,业界人士对于DDR3快速取代DDR2持有乐观态度。为了顺应市场需求,国际知名内存大厂南亚科技也推出了自己的DDR3内存模组,即南亚...

     DDR2内存自推出以来,始终步履蹒跚,经过各方的努力,虽然现在总算开始大量应用,但其性能瓶颈时常遭人诟病。因此,业界人士对于DDR3快速取代DDR2持有乐观态度。为了顺应市场需求,国际知名内存大厂南亚科技也推出了自己的DDR3内存模组,即南亚易胜Elixir DDR3内存模组,可支持1066MHz与1333MHz等运行频率,甚至可支持高达1600MHz,为DDR2的2倍,在功耗表现上更比DDR2优异,电压由原本的1.8V下降至1.5V,是现今业界最快的内存组件。运用在大型3D游戏中,可以有效提升处理器执行速度,3D效果更加精美绝伦,影音效果更加震撼。
    
     南亚科技推出的南亚易胜Elixir DDR3-1066 UDIMM内存模组,主要有512MB和1GB两种规格,这里主要介绍一下南亚易胜Elixir 1G DDR3-1066内存,有兴趣的朋友可以一起关注一下。
    


    
南亚易胜Elixir 1G DDR3-1066内存

    
     从内存模组上面的颗粒看,南亚易胜Elixir 1G DDR3-1066内存采用的是南亚原厂颗粒,为Green UDIMM、传输位宽64Bit、标准运行电压1.5V、颗粒采用78 Ball BGA封装、标准时序为1066MHz时7-7-7-10。电压相比DDR2的1.8V降低至1.5V,能耗更低,发热量也更低。BGA封装方式能成功地减少IC颗粒与PCB板的球面接触点,并透过内建的ODT内部中断电阻设计降低数据传输时产生的信号干扰。南亚易胜Elixir 1G DDR3-1066内存整体设计风格严谨扎实、新颖独特,蓝色PCB采用了短程布线设计,简洁明了,有效减少了信号的延迟及引线间的信号干扰,确保了数据传输的安全性。PCB表面采用大面积覆铜遮盖,很好地保证了产品的电气性能及抗电子干扰能力。优选微型贴片电容和高品质电阻排装贴整齐,焊点均匀饱满,用料充足,完全体现出一流的做工工艺和雄厚的设计、研发水平。南亚易胜Elixir内存从IC颗粒到模块封装都层层把关,都需经过严格的质量控管及完整的测试流程,品质可以得到严格的保证。
    
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