全球24层超薄NAND闪存面世

来源：http://news.hqew.com/info-144074.html 发布时间：2007-09-07

摘要： 南韩内存大厂海力士海力士(Hynix)成功开发20层高超薄型NAND闪存半导体后，又创下缩小NAND闪存的外型，以及扩大储存容量的24层超薄NAND闪存。&n...

     南韩内存大厂海力士海力士(Hynix)成功开发20层高超薄型NAND闪存半导体后，又创下缩小NAND闪存的外型，以及扩大储存容量的24层超薄NAND闪存。

     海力士这次开发产品采用层迭24个NAND闪存的方式，储存容量与24个NAND闪存相同，但特点是厚度仅1.4毫米，比层迭24个时更薄，可储存六个DVD数据。

     NAND闪存是用于数码相机、手机储存装置等存储半导体，优点是即使关掉电源也能保存数据。

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