NEC电子、OKI（冲电气工业）、尔必达内存在正于美国加利福尼亚州圣诺塞召开的安装技术相关国际会议“IMAPS（international microelectronics and packaging society） 2007”上，就3家合作开发中的8芯片积层型4Gbit DRAM的散热特性发表了演讲。
    
     3家合作开发的是在单一封装内层积8个512Mbit DRAM和1个控制器LSI（系统LSI）的LSI。每1个端子与外部的数据传输速度最高为3Gbps。积层的8个DRAM之间以硅贯通电极连接，夹着转接板与控制器LSI相连。封装内采用了NEC电子开发的半导体封装技术“SMAFTI（smart chip connection with feedthrough interposer）”，能够以50μm的连接间隔多点连接逻辑LSI和大容量内存，而且使用了薄型贯通转接板。
    
     首先给内置1个传输速度为3Gbps的DRAM芯片和控制器LSI的SMAFTI封装安装散热器，通过模拟和实测检测了封装的热阻抗。与不安装散热器时相比，热阻抗在模拟和实测中均降低了约20％。
    
     然后又利用内置了8个传输速度为3Gbps的DRAM芯片和控制器LSI的SMAFTI封装，对散热器的有无以及DRAM多段积层对热阻抗的影响进行了调查。结果是，即使在8段积层DRAM的情况下，安装散热器与不安装相比，热阻抗仍降低了24～36％。也就是说，在安装散热器的条件下，8段积层DRAM比之只内置1个DRAM，封装的热阻抗也仅上升了6％。“多段积层DRAM的散热特性并没有人们想象的那么差”（NEC电子）。单看散热特性，8芯片积层型4Gbit DRAM的实用化目标已初露端倪。