三星电子（Samsung Electronics）正式推出采用62纳米制程生产的1Gb DRAM芯片，由于这款DRAM芯片制造成本，直逼部分DRAM厂商商采用90纳米制程所生产512Mb DDR2芯片，使得三星DRAM产品在市场上具有絶对的竞争优势，这也将严重威胁目前其他DRAM厂商手上512Mb DDR2芯片库存及出货，可以预期未来将难避免引爆一波跌价抛货的狂潮。
    
     台系DRAM厂商表示，尽管三星在全球标准型DRAM市场占有率逐步走低，但业界不能对这位过去在DRAM市场呼风唤雨的老大掉以轻心，尤其向来以研发能力著称的三星，近期正式在DRAM市场投出一颗超级震撼弹，三星采用62纳米制程所生产1Gb DRAM芯片，9月起正式上市，对于既有512Mb DDR2市场将造成重大冲击。
    
     台系DRAM厂商指出，三星的秘密武器之所以会让竞争对手感到忧心，最主要因素在于其采用62纳米制程投产，且制造成本已可压低至每颗约2.5美元，这样的低制造成本，不仅与目前多数采用90纳米制程生产的512Mb DDR2芯片相差不远（约1.8~2.0美元），更重要的是，一旦三星大量生产出货，三星1Gb DRAM芯片制造成本有可能会进一步降至约2.0美元，在储存容量倍增、售价却相近情况下，既有512Mb DDR2芯片恐难在市场上存活。
    
     就多数OEM计算机厂商而言，目前内建Vista的笔记本电脑或台式机，最基本内部DRAM模组配备容量至少为2GB，如此一来，OEM计算机厂商每一根1GB DRAM模组如果采用1Gb芯片制造，现阶段采购成本约22~23美元，而若采用512Mb DDR2芯片制造1GB模组时，却需要花费采购成本30美元以上。
    
     由于1GB模组采购价差便高达至少8~10美元，对于OEM计算机厂商而言，理所当然会采用成本较低的三星1Gb芯片，因此，这对于目前还在大量采用90纳米制程制造512Mb芯片的其他竞争对手来说，势必会遭遇到相当沉重压力。
    
     值得注意的是，一旦三星大量产出62纳米制程1Gb芯片，并进一步降低制造成本后，其他DRAM厂商手上所拥有512Mb DDR2芯片，恐将成为烫手山芋，可预期未来将会引爆一波杀价抛货狂潮。