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意法半导体推出64兆位3V闪存芯片

来源:http://news.hqew.com/info-135633.html 发布时间:2003-07-01

摘要: (华强电子世界网讯)意法半导体日前推出了一款采用最先进的0.15微米工艺制造的64兆位闪存器件,从而进一步扩展了该公司的M29工业标准3V闪存家族。这个命名为M29DW640D的新产品与竞争对手的闪存芯片引脚兼容,适合蜂窝手机、个人信息设备、手持个人...

    (华强电子世界网讯)意法半导体日前推出了一款采用最先进的0.15微米工艺制造的64兆位闪存器件,从而进一步扩展了该公司的M29工业标准3V闪存家族。这个命名为M29DW640D的新产品与竞争对手的闪存芯片引脚兼容,适合蜂窝手机、个人信息设备、手持个人电脑以及全球定位系统(GPS)接收机应用。
    
    

可以组织M29DW640D进行8位或16位(字)操作,并可以将其分成A、B、C和D四个存储体,四个存储体的容量分别是8兆位、24兆位、24兆位和8兆位。两个8兆位存储体中的每个体都含有8个参数块,页是4字宽。此外,每个块都可以独立擦除,因此,保护有效数据和擦除旧数据可以同步进行。
    
     M29DW640D的其它特性包括25ns或30ns页读取时间、12V快速编程选项、5个高快速编程命令,以及一个用于存储安全数据或其它信息的256字节扩展存储块。如果使用这个五个快速编程命令中的任何一个命令,芯片同步编程最多8个相邻字节的典型时间为10微秒。
    
     为了延长手持设备备用电池供电的工作时间,M29DW640D在编程和擦除操作时需要20mA(最大值)以下的电流,读取操作需要10mA(最大值)以下的电流,待机模式时需要最大100µA电流。M29DW640D的擦除编程循环为每块100,000次,数据保存能力20年。
    
     这个64兆位闪存M29DW640D工作在2.7V到2.6V电压下,提供70ns或90ns随机存取时间的选择,每款工作温度范围在0° 到 +70°C 或 –40° 到 +85°之间。
    
     这个存储器芯片采用TSOP48或FBGA63封装,现在已经开始提供样品。
(编辑 雁子)
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