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瑞萨推出可改善CAM软错误免疫性的存储器

来源:http://news.hqew.com/info-132283.html 发布时间:2005-09-27

摘要: (华强电子世界网讯)瑞萨科技公司发布了一种新技术,可以极大地改善用于网络和通信设备,以及类似产品的内容可定址存储器(CAM)器件的软错误免疫性。这项新技术可满足软错误对策,尤其是由整个业界向更精细的半导体制造工艺节点转移的趋势所推动的高可靠性系统的重...

    (华强电子世界网讯)瑞萨科技公司发布了一种新技术,可以极大地改善用于网络和通信设备,以及类似产品的内容可定址存储器(CAM)器件的软错误免疫性。这项新技术可满足软错误对策,尤其是由整个业界向更精细的半导体制造工艺节点转移的趋势所推动的高可靠性系统的重要市场需求。瑞萨的工程师将于9月20日在美国加利福尼亚圣何塞举行的2005年IEEE定制集成电路会议(CICC)上提交的论文中宣布这一高可靠性CAM技术的细节。
    
    
     对一个整合了该技术并采用130nm(纳米)CMOS工艺制作的144Kbit三态(TCAM)测试芯片的数据证实,与没有软错误免疫性的芯片相比,采用这种技术在软错误免疫性方面的表现改善了大约六位数。新的TCAM技术在可靠性方面实现了显着的改善,而没有牺牲搜索和路由时间。
    
    
     在开发这项新技术时,瑞萨的工程师们需要使用错误检测和更正(ECC)电路。然而,为了达到这个目的,他们必须克服ECC是建立在读操作基础上,而且CAM中的大多数操作都是搜索,读操作只是偶有发生的困难。此外,工程师们不能使用用来增加噪声免疫性的传统方法——增加存储节点的电容器容量和积累电荷——因为当结构工艺变得更精细时,CAM单元中存储节点的电容器容量和积累负载将下降。
    
    
     由瑞萨开发组发明的高可靠性CAM技术克服了这两个障碍。为了显着地改善软错误免疫性,该技术使用了三个主要元件:
    
    
      · 它将嵌入式DRAM与ECC集成在一起组成CAM器件。
      · 它可提供一个在搜索期间有效地测量CAM软错误率的测试电路。
      · 它增加了使CAM数据保持操作自动化的电路。
    
    
    
     基本上,该芯片的嵌入式DRAM部分是用来存储CAM部分的一些数据。当CAM执行搜索操作时,DRAM部分周期性地出现刷新操作。在每个刷新周期中,ECC更正从CAM部分拷贝来的软错误引起的错误的DRAM数据。这样,后来的数据就会将DRAM改写为不包含软错误的CAM。这就使存储在该器件CAM部分的数据实现了高度的可靠性。
    
    
     用于该技术的测试电路使用搜索操作,对排列在一个列中的CAM单元执行大量多位测试。该电路迅速和有效地检测是否在该器件的CAM部分中存在由于软错误引起的错误的位数据。
    
    
    
     该电路增加了自动化CAM数据维护操作,避免了停止搜索操作去执行增加或删除存储在CAM里的数据,然后对相关的数据进行重新编排等例行程序所需的功能。新技术可在芯片的DRAM部分执行必须的数据维护操作,然后迅速将维护结果传回到CAM中。

(编辑 Andrew)

    
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