(华强电子世界网讯)瑞萨科技公司日前宣布开发出512Mbit HN29V512A系列superAND闪存，该系列闪存具有较大容量和大约4M字节/秒的高写入速度，可用于消费类产品中的嵌入式数据存储，如移动电话和数码相机。出货样品包括HN29V512A0A，支持16位总线带宽，HN29V512A1A，支持8位总线带宽，在日本将从2004年5月开始供货。
    
    

    
     “superAND”闪存提供了改进的易于使用的片上内存管理功能，如坏块管理和错误修正。目前，瑞萨科技可以量产128-Mbit和256-Mbit的superAND闪存芯片，现在正发布其第三阶段的模块。新模块工作在3.3V电压下，特性总结如下：
    
     (1) 由于带有片上内存管理功能，系统设计简单化
    
     片上内存管理功能，如坏块管理，损耗平衡功能*1，和错误纠正。以前，AND闪存被嵌入在终端产品后，这些功能需要系统去处理，而现在直接在片上提供，减少了设计的工作量。
    
     (2) 约4Mbytes/秒的高写入速度
    
     使用瑞萨科技的AG-AND闪存芯片技术，提供多级芯片单元技术*2和高速度，使写入速度达到大约4Mbytes/秒。这些新模块满足了数码相机对高质量照片和高象素的要求，同时满足了移动视频记录系统，使这些系统的潜能全部发挥。
    
     (3) 512-Mbit芯片的封装体积和当前256-Mbit芯片体积相同
    
     在容量加倍的情况下，仍采用了与256-Mbit第二阶段superAND闪存芯片同样的封装尺寸，采用小型CSP封装（10 mm × 11.5 mm × 1.2 mm）。
    
     面向低电压工作的1.8V版本也正在开发当中，在日本，样品计划在2004年第三季度出货。