(华强电子世界网讯)日前，赛普拉斯半导体公司宣布：已开始向客户提供其新型72Mbit QDRTM-II（四倍数据率）和DDR-II（双倍数据率）系列器件样片。这是目前世界上密度和带宽最高的SRAM。
    
     Cypress推出的这些新型存储器芯片实现了高达50%的系统级带宽增幅，并使各种数据密集型应用（包括交换器、路由器、服务器、存储工具、无线基站和测试设备）中的读/写能力得以提升。
    
     赛普拉斯公司存储产品部副总裁Tony Alvarez说：“到目前为止，制造商还无法获得容量超过36-Mbits的QDR SRAM，而且“2”字符组（B2）架构的时钟频率被限制在200MHz。Cypress的72Mbit QDR器件将突破这些性能极限，从而为制造商提供他们所需要的密度和稳固性能，以扩展网络的功能并提供更多的服务。这些器件将提供高达250MHz的时钟频率以及高达36Gbps的带宽。”
    
     iSuppli公司的资深分析家 Betsy Van Hees称：“想到去年7月宣布推出72-Mbit同步SRAM样片，这已经是Cypress公司近几个月来在72-Mbit SRAM器件竞争中所实现的第二次跨越。在数据通信和网络领域呈现出新的增长之际推出此款器件，时机是再好不过的了。”
    
     Cypress的新型SRAM系列CY7C15XXV18支持LA-1总线接口，该接口被众多的网络处理器所采用，包括Intel® IXP系列，以及被Agere Systems公司的PayloadPlus® 等网络处理器所采用的DDR-II SRAM接口。这些器件通过支持旨在实现同时读/写操作的分离型输入和输出的方法来增加带宽。其低初始延迟——QDR-II为1.5个周期，QDR为1 个周期——最大限度地提高了算法查表、统计跟踪和数据缓冲的效率。
    
     Cypress的72Mbit器件还具有几个重要的外形特征，包括采用了一个165 fBGA封装，与其它替代解决方案相比，这种封装的外形尺寸减小了40%。这些器件的引脚还与来自其他QDR联合开发工作组成员兼容，包括IDT、NEC、Renesas和Samsung公司，及其前成员Micron公司的产品（现由Cypress提供）。它们是采用Cypress公司居业界领先水平的90nm生产工艺制造的。
    
    供货情况
    
     赛普拉斯的CY7C15XXV18系列将于今年年中向用户提供5种内核配置样品，正式生产将于2004年底开始。目前已开始提供样品的CY7C1512V18（时钟频率为200MHz）是一款被配置为4M×18的QDR-II B2器件。该器件的250MHz版本将于今年年中面市。另一款250MHz QDR-II B2器件CY7C1525V18被配置为8M×9，其样品将于今年第三季度供应客户。另外还有三款器件将于今年第二季度和第三季度开始提供样品，分别是CY7C1515V18（配置为2M×36的QDR-II B4器件）；CY7C1518V18（4M×18 配置的DDR-II B2器件）；和CY7C1523V18（配置为4M×18的DDR-II SIO器件）。