（华强电子世界网讯）日立电线将于2003年春季开始供应GaN底板的试制品。预计将作为蓝光光盘规格等新一代光盘设备光源——蓝紫色半导体激光器的底板使用，直径为2英寸。据称，计划于2004年前后开始量产。此次的开发与半导体激光器厂商共同进行，并已在该底板上试制出了激光器。
    
      日立电线此次在GaN底板的生产上使用了被称为“Void形成剥离法（VAS：void assisted separation）”的新技术。据称使用VAS后，可以形成结晶缺陷少的GaN底板。试制的GaN底板的缺陷密度为106/cm2，今后有望降低到105/cm2。这一缺陷密度与目前其他公司被称为低缺陷产品的缺陷密度持平。例如住友电气工业已开始供应的GaN底板试制品，缺陷密度在低缺陷范围之内，为104～105/cm2。美国风险企业Crystal Photonics公司也开发了缺陷密度为105/cm2的GaN底板。一般来说，GaN底板的缺陷密度越低，越能提高半导体激光器的寿命等。如索尼使用了住友电气工业的GaN底板，于2002年10月推出了估计寿命为10万小时的GaN类大功率半导体激光器。
    
      VAS技术首先是在蓝宝石底板上生成网眼状TiN膜，网眼的间隙大小为数μm。在这层TiN膜上生成GaN膜。GaN膜的厚度达到0.3mm时撤去蓝宝石底板，留下来的GaN膜即可做为底板使用。