(华强电子世界网讯)凌特公司推出反激式控制器LT3750，可对大电容器快速充电至高达1,000V。LT3750驱动一个外部大电流N沟道MOSFET，能够在低于300ms的时间内将100uF的电容器充电至300V，非常适用于专业照相闪光灯系统、射频保安系统、库存控制系统和专门的高压电源。该器件的3V至24V输入电压范围使其能够用多种电源工作，其获得专利的边沿模式控制电路最大限度地降低了转换损耗，并缩小了变压器尺寸。该器件采用纤巧的MOSP-10封装，可提供非常紧凑的高压/大电流电容器充电器解决方案。
    
     LT3750的主边检测拓扑消除了对外部输出电压分压器的需求。它采用单个大电流N沟道MOSFET，具有高于90%的充电效率。78mV的低电流检测准确地限制了峰值开关电流，同时优化了效率。输出电压可以非常容易地用变压器匝数比和两个外部电阻来调节。其它特点包括一个充电引脚使用户可全面控制LT3750，以及指示电容器已达到其编程值并停止充电的DONE引脚。
    
     采用10引线MSOP-10封装的LT3750EMS有现货供应。以1,000片为单位批量购买，每片起价为3.50美元。
    

    性能概要：LT3750EMS
    
     * 可对任何容量的电容器充电
     * 易于调节的输出电压
     * 驱动大电流N沟道MOSFET
     * 主边检测──无需输出电压分压器
     * 宽输入范围：3V至24V
     * 驱动栅极电压至VCC-2V
     * 采用10引线MS封装