(华强电子世界网讯)意法半导体日前推出一个N沟道场效应MOS晶体管，新产品用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。
    
      STx9NK60ZD 是率先采用了SuperFREDMeshTM新型高压工艺，由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列产品SuperMESH?上实现了一个新载流子寿命控制过程，新器件不仅展现出优异的动态性能，而且还优化了体二极管的反向恢复时间(trr)，具有优异的软恢复特性。所有这些都将有助于降低开关损耗。
     
      采用SuperFREDMesh制造技术的器件还可以降低通态电阻，执行齐纳二极管栅保护，提高dv/dt处理能力和成本竞争力。
    
      这个器件可处理600V电压和高达7A的漏极电流， 典型导通电阻RDS(on) 0.85欧姆。STF9NK60ZD可以处理最高30W的功率，而STB9NK60ZD 和 STP9NK60ZD的最高功率为120W。
    
      新器件的雪崩测试率为100%，目前所选封装为TO-220、TO-220FP 和 D2PAK。
    
      订购10万件的美国市场单价为0.80美元，详情登录网站www.st。com/pmos。