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英飞凌线性特性提高10%的大功率场效应晶体管

来源:http://news.hqew.com/info-128869.html 发布时间:2004-07-01

摘要: (华强电子世界网讯)德国Infineon Technologies AG推出采用LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor=横向扩散金属氧化物半导体)技术的高频大功率场效应晶体管“GOLDMO...

    (华强电子世界网讯)德国Infineon Technologies AG推出采用LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor=横向扩散金属氧化物半导体)技术的高频大功率场效应晶体管“GOLDMOS”产品群的新产品。该产品适用于移动通信基站和电台电视台的发射放大器等。计划从2004年第3季度开始发货工业样品,从2004年第4季度开始批量生产。
    
      此次推出的产品的线性特性标准比以往产品提高了10%。另外还提高了带宽性能、减小记忆效果以及改善了热特性。以2.1GHz单端(single end)型100W产品“PTFA211001E”为例,在双载波WCDMA 3GPP模式下,平均输出功率为22W,增益为16.5dB,效率为30%。带宽达几百MHz,三阶互调失真(IM3)降到-37dBc,热电阻降到0.38℃/W。与以往产品比较,功率密度和热阻抗提高了30%。
    
    

(编辑 keil)

    
    
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