(华强电子世界网讯)日立制作所日立研究所日前宣布，已经成功开发出采用单结晶碳化硅（SiC）底板的静电感应晶体管（SIT：Static Induction Transistor）。与过去采用硅底板相比，这种SIT的特定导通电阻在1/60以下，损耗非常低。因此能够减小设备体积、提高工作效率，有望应用于电动汽车和家电产品的电源等动力电子设备中。
    
    

  在动力电子设备中使用晶体管是为了进行交直流转换和变压。但是由于晶体管会产生热量，因此必须使用散热装置，电流值方面存在一定的限制。对于降低晶体管电阻，目前硅已接近于理论极限值，难以降低损耗。因此，此次开发出了具有超过理论极限值特性的超低损耗SiC-SIT。SiC-SIT采用把电流传导路径设计为直线型的纯纵型结构，降低了导通电阻，并采用易于应用高精密技术的源极及栅级多层结构提高了耐压性。因此实现了2000V耐压、5A电流和15mΩ·cm2特定导通电阻等特性。据称今后还将继续降低特定导通电阻。
    
      如果配备SiC元件的动力电子设备得以普及，电力转换效率将会提高约3%。而且还可有助于节约能源、降低CO2排放量。