Maxim Integrated Products 推出业界性能最好、完全集成的SiGe混频器MAX9994。MAX9994专为2.5G/3G无线基站系统设计，具有无与伦比的线性度、噪声性能和极高的集成度。该芯片具有8.3dB的转换增益、9.7dB的噪声系数和26.2dBm的IIP3。此外，MAX9994还具有业界优异的2RF-2LO性能，在-10dBm RF电平下为67dBc，在-5dBm RF电平下为62dBc。
    
      MAX9994非常适合工作在1700MHz~2200MHz频带的WCDMA/UMTS、DCS/PCS/EDGE、cdma2000™以及TDMA基站，为了提高接收灵敏度和抗阻塞特性，这些设备对线性和噪声性能有严格要求。该器件具有40MHz~350MHz的宽IF频率范围，并具有1400MHz ~2000MHz的低边LO注入范围。优化于高边LO注入的MAX9996*支持1900MHz~2400MHz的LO频率范围。
    
      MAX9994集成了一个代表目前最新技术水平的双平衡混频器内核、两个放大器、两个非平衡变压器、LO开关，配合12个分离器件即可构成一个完整的SiGe下变频器。较高的集成度使下变频器所占用的电路板空间减少了一半，分离器件数目减少了34%。
    
      由于该器件可提供高达8dB的转换增益，设计人员可在接收通道省去整个IF放大电路。同时，MAX9994还具有优异的2RF-2LO性能，易于滤除相邻的谐波分量，使滤波器的设计更简易、成本更低。
    
      开关时间小于50ns、LO1与LO2间隔离度为45dB的集成SPDT LO开关用于支持跳频功能。在整个温度、电源电压和输入功率变化范围内，内置0dBm驱动的LO缓冲器可提供±3dB驱动变化量的控制，获得稳定的增益、NF以及IIP3性能。MAX9994具有出色的增益稳定性。其增益稳定度在工业级温度范围(-40°C~+85°C)内保持在±0.75dB以内。在整个温度范围内，其IIP3保持在±0.5dB以内。
    
      MAX9994采用紧凑的5mm x 5mm、20引脚薄型QFN封装，同时还提供无铅封装。起价$6.90 (1000片起，美国离价)。