（华强电子世界网讯）美国Impinj日前发表了能够利用CMOS技术嵌入到LSI中的非挥发性内存“AEON”。由于像嵌入式EEPROM一样不需追加掩膜，因此能以较低的成本嵌入到LSI中。将作为硬件内核的IP（知识产权）提供授权。内存容量为64bit～16kbit，可擦写次数为10万次。数据保持时间约为10年。将主要面向无线标签LSI的ID和模拟电路的纠错位的保存用途。目前已经应用于日本厂商生产的无线标签LSI中，将于2004年6月量产。
    
    

  作为能利用CMOS技术嵌入到LSI中的非挥发性内存，除该产品以外还有美国Virage Logic开发的“NOVEA”。据Impinj称，“Virage Logic的产品可擦写次数少，只有1000次，而此次发表的产品，其特点在于可擦写次数高达10万次”。通过在记录位信息的浮动栅（Floating Gate）中采用p型FET，实现了10万次的可擦写次数。结构采用的是横向排列2个p型FET的形式，多晶硅为1层。
    
      目前，该公司正在提供利用台积电（TSMC）的0.35μm工艺CMOS技术生产的测试芯片样品。容量为96bit。每bit的耗电量和电压方面，读出时分别为2.5μA和+1.6V～3.6V，写入时分别11μA和+3.0V～+3.6V。读出时间为4μs，写入时间为1ms。另外，按计划2003年第4季度将能够利用0.35μm或0.25μm工艺，2004年第3季度将能够利用0.18μm和0.13μm工艺进行生产。