NEC氮化物功率晶体管的输出功率达2.3W

来源：http://news.hqew.com/info-128986.html 发布时间：2003-01-13

摘要： （华强电子世界网讯）NEC公司已经开发出一种氮化物半导体功率晶体管，其在亚毫米波段(30GHz)的放大功率为2.3W，据称是以前芯片的三倍。该晶体...

    （华强电子世界网讯）NEC公司已经开发出一种氮化物半导体功率晶体管，其在亚毫米波段(30GHz)的放大功率为2.3W，据称是以前芯片的三倍。

     该晶体管无需使用功率分配器/组合器即可提供瓦特级功率放大，这样可减小芯片尺寸，降低功耗。与以前的器件相比，该晶体管的尺寸减小了80%，仍可工作在22GHz、26GHz及38GHz HF波段。

     该器件采用电子束蚀刻的0.25μm超精细门电极和GaN与AlGaN的异质结，功率增益截断频率为120GHz，漏电流密度高达每1mm宽门电路为1A。它还采用碳化硅基底，这样可以在相同通道温度下并联晶体管。

（编辑 Tina）

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