硅品(2325)发布该公司利用FOW(Film Over Wire)独家专利封装技术突破芯片堆栈极限，成功领先量产堆栈3层NAND Flash Card记忆卡。硅品表示，这项FOW封装技术可以灵活运用在堆栈封装上，具有降低堆栈封装高度14％以及缩减宽度14％的优势，并且能够保护芯片及焊线不受到损伤。
    
     硅品指出，电子产品强调轻薄短小而且功能强大，使得产品内部每项零组件体积必须不断微缩，为了节省体积及减轻重量，处处挑战厂商制造能力的极限，因此，堆栈封装技术(Stacked Die Package)就成为缩减体积的解决方案之一，其特点就是能够在体积限制之下，将更多的芯片封装在一起，不过，堆栈封装目前也遭遇到技术上的瓶颈，因为在堆栈层数持续增加的情形下，最后的高度和宽度一定会超过封装体的范围。
    
     而硅品推出的FOW独家专利封装技术(台湾专利字号：142,309；美国专利字号：US 6,388,313)，突破体积限制的瓶颈，能够有效节省更多的空间，最适合应用在高堆栈层数，以及芯片面积大小相近的产品上，在经过多层堆栈之后，仍然可以达到CSP(Chip Scale Package)要求，因此，硅品FOW技术能提供芯片厂商更多的设计弹性，协助客户突破芯片体积限制，提高产品的市场竞争力，目前可以应用的产品为高容量内存(DRAM及Flash)堆栈封装。
    
     硅品已经成功将FOW封装技术运用在Flash Card记忆卡，领先量产堆栈3层NAND Flash Card记忆卡，协助客户提高市场占有率，深获客户好评。
    
     今年硅品更将FOW技术发挥到淋漓尽致，在Flash Card记忆卡严苛的体积条件限制之下，领先业界研发出堆栈9层芯片的产品，层数比以往大幅增加3倍，大幅拉高竞争门坎，今后更能进一步协助客户走在市场的前端，率先取得市场商机。