(华强电子世界网讯)凭着Intel的0.25和0.18微米之每储格两位技术，StrataFLASH®记忆体 (J3) 能在相同的空间内将可存储的位数提升两倍。目前，这StrataFLASH®记忆体 (J3) 具备有256MB、128MB、64MB和32MB几种选择，为快闪市场带来可靠的每格两位新技术。除了能在更小的空间造出更高的密度外，器件还有高速介面、最低每位成本的NOR器件，以及可支援代码和数据储存，并且可轻易过渡至未来的器件。
    
      采用与先前每格一位产品相同的NOR基础ETOX技术，这J3器件揉合了自1987年出产以来所有快速制造技术的优点，令到这J3元件适合使用在一些讲求言密度和低成本的代码和数据存储应用上。当中包括网络、电讯、数码机顶盒、音频记录、数码影像和其他消费电器方面。
     
      性能表现
    
      • 110/115/150微秒的初始存取速度
      • 125毫微秒初始存取速度(只在256MB型号提供)
      • 25毫微秒异步分页模式读取
      • 30毫微秒异步分页模式读取 (只在256MB型号提供)
      • 32位元组写入缓冲
      • 每位元组6.8微秒的有效编程时间
    
      软件
    
      • 支援程式及拭除暂停
      • 快闪数据整合器 (FDI)，共用
      • 快闪介面 (CFI) 兼容
    
      保安性
    
      • 128位防护暂存器
       - 64位独一器件识别器
       - 64位用户可编程 OTP 储格
      • 配备VPEN=GND的绝对防护
      • 个别区块锁定
      • 在电源蠹换时的区块拭除/程式闭锁
     
      体系结构
    
      • 多层储格技术：低成本下的高密度
      • 高密度对称128KB区块
      - 256MB (256区块) (只0.18微米提供)
      - 128MB (128区块)
      - 64MB (64区块)
      - 32MB (32区块)
    
      品质及可靠度
    
      • 操作温度由负40度至正85度摄氏
      • 每区块可进行最少10万次拭除周期
      • 0.18微米ETOX VII制程(J3C)
      • 0.25微米ETOX VI制程(J3A)
    
      封装及电压
    
      • 56引线TSOP封装
      • 64-球 Intel简便BGA封装
      • 48-球 Intel VF BGA封装( 32及64MB) (只有x16型号)
      • VCC = 2.7伏至3.6伏
      • VCCQ = 2.7伏至3.6伏