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IR推出可替代机电式继电器的300V MOSFET功率器件

来源:http://news.hqew.com/info-127099.html 发布时间:2003-01-09

摘要: (华强电子世界网讯)功率半导体专家国际整流器公司 (IR) 推出新产品IRF3000。它是一个300V、N沟道HEXFET功率MOSFET,用于取代多种电信及网络应用中的机电式继电器。新器件是一种固态半导体,无机械部分,故可提高整体系统可靠性,且体积...

    (华强电子世界网讯)功率半导体专家国际整流器公司 (IR) 推出新产品IRF3000。它是一个300V、N沟道HEXFET功率MOSFET,用于取代多种电信及网络应用中的机电式继电器。新器件是一种固态半导体,无机械部分,故可提高整体系统可靠性,且体积比机电式继电器低30%之多。
    
     IRF3000比机电式继电器更具效率,导通电阻比机械继电器低90%以上,最大限度地减低了传导损耗。新器件的栅电荷极低,可最大程度减低开关损耗。IRF3000比继电器更易驱动,有助简化电路设计并降低整体系统成本。与机电式继电器相比,IRF3000可节省高达30%的成本。一般来说,网络和电信系统需采用数以千计的继电器,因此将开关损耗、传导损耗和个别器件的成本降至最低至关重要。
    
     IR中国及香港销售总监严国富先生表示:“电信和网络系统对可靠性的要求非常高。机电式继电器的预计寿命为10万至1000万次操作,IRF3000却可在类似的负载情况下实现近10亿次切换周期,大大提高了整体系统的可靠性。”
    
     IRF3000适用于需要小电流开关 (1.6A)、输入电压在200V或以下而无须隔离设计的开关应用,也适合负载电压极性不会转变的设计。该器件还适用于高频率的直流-直流转换器。
    
     IRF3000的额定击穿电压为300V,能为200V或以下输入的开关应用提供所需的安全极限。产品现已投入供应。
    

(编辑 Maggie)

    
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