(华强电子世界网讯)英飞凌科技（Infineon）日前宣布推出一款CoolMOS CS服务器系列高效益功率晶体管，专为使用于计算机服务器中的电源供应器和其它高电源密度应用所设计，例如使用于电讯设备与平面显示器，此全新功率晶体管将使电源供应器可设计得更小、能源效率更高、产生的热也较低，解决以往电源供应器中因热产生的问题。
    
      在突破一项技术之后，英飞凌克服了所谓的硅晶体效益限制，在TO 220标准封装中的全新CoolMOS CS服务器MOSFET中制造出全球最低的导通状态（On-State）电阻，阻值为99毫欧姆，而在TO 247标准封装中之阻值为45毫欧姆；此外还具备每奈秒150V的业界最快电压切换速度，以及600V电瓦的阻隔能力。
    
      英飞凌表示，所谓的硅晶体效益限制，是指在电源供应器中，理想的高压切换（MOSFET）在“ 导通（ON）状态”下，也就是在导电的状态下，是没有电阻值的；相对的，在“关闭（OFF）状态”下，该晶体管将有能力阻隔无限大的电压，防止任何电流流过去，但在实际状态中已经被证明是不可能的。从硅晶体的物理特性及限制来分析，如果要将阻隔的电压提高一倍，会将“导通状态”下的电阻提高五倍之多。
    
      在高压CoolMOS电压切换家族中，英飞凌的研究人员克服了上述基本障碍。带领此开发小组的英飞凌高压Discrete装置技术营销主管Gerald Deboy博士表示：”为尽可能达到零电阻的地步，在电流的流动上，我们加上更多的电荷，这增加的电荷被同样数量但极性相反的电荷所平衡，而此两种极性相反的电荷是以极精密之技术分开被放置。因此，我们可以得到一个非常好的效果，平衡效果愈高，其导通状态的电阻就会愈低。在每一代的CoolMOS中，我们都在增加此作用的效益，因此能够更接近零电阻值的理想组件，而不会损失电压阻隔能力。”
    
      在每一个具备600V电压阻隔能力的封装中，CoolMOS CS服务器系列都提供了最低的开通状态电阻，因此可让设计者在设计电源供应器时降低导电之损失，增加效率，效率一旦增加，设计者可将电源供应器设计得更小，或者将输出功率增加，而不需要更改任何散热机制，直接降低了每Watt的系统成本；在导通损失降低后，加上非常快速的切换速度，因而可大量降低系统的电压切换损失，如果具备快速的切换速度，则可将复杂的共振式电源供应器架构改回为容易设计的硬切换（Hard-Switching）AC/DC架构。此外，全新的CoolMOS CS服务器系列只需非常低的闸（Gate）驱动功率，因此可以使用低功率标准闸驱动器和IC。英飞凌表示，整体来说，其被动组件之大小和成本都已降低，所以系统成本会更低，也更为精巧。
    
      此次英飞凌亦发表一个1000W的服务器电源供应器参考设计，其中采用一颗99毫欧姆的CoolMOS CS功率晶体管；与一个采用两颗并联在一起普遍被使用的标准250毫欧姆 MOSFET晶体管之类似电源供应器相比较，此设计之效率高出1.5％，此高出的效率不但在每一Watt中降低超过10％的成本，还可让设计师设计出更精巧的系统；此外，英飞凌还展出一项1500W的功率因素修正设计（PFC design），采用一颗99毫欧姆的CoolMOS CS，可达到99％的效率，而这也是另一项业界纪录。
    
      CoolMOS CS服务器系列的首批产品为：TO247封装的45毫欧姆、TO247封装和TO220封装的99毫欧姆，下个月将开始供应样品，预计于2005年5月开始量产；在订单量超过10,000颗时，TO220封装的99毫欧姆单价将低于4欧元。