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NS推出迟滞式P场效应晶体管降压控制器

来源:http://news.hqew.com/info-127075.html 发布时间:2004-12-03

摘要: (华强电子世界网讯)美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) 推出一款可支持高效率系统的迟滞 P 场效应晶体管 (P-FET) 降压控制器。这款型号为 LM3475 的控制器芯片采用极小巧的 SOT...

    (华强电子世界网讯)美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) 推出一款可支持高效率系统的迟滞 P 场效应晶体管 (P-FET) 降压控制器。这款型号为 LM3475 的控制器芯片采用极小巧的 SOT23-5 封装,其特点是设有可以简精系统设计的迟滞控制电路。系统设计工程师只要采用这款芯片便无需为系统提供外部补偿,确保多种不同的元件都可稳定操作,而系统则可以作出极快的瞬态响应。迟滞控制电路甚至在极小负载下也可支持高效率操作。P 场效应晶体管结构的优点是可以降低所需元件的数目,将占空度提高至 100%,以及操作时只产生极低压降。
    
     这款控制器芯片适用于多种不同的典型应用,其中包括 TFT 监视器、汽车个人电脑系统、汽车保安导航系统、笔记本电脑后备电源供应器、以电池供电的便携式电子产品以及配电系统。
    
    主要的特色及优点
    
     *容易使用的控制方法
     *可调节的输出电压介于 0.8 伏 (V) 与输入电压 (VIN) 之间
     *效率高 (典型效率高达 90%)
     *±0.9% 的反馈电压基准精度 (在 -40°C 至 +125°C 的温度范围内反馈电压达±1.5%)
     *占空度可高达 100%
     *最高操作频率高达 2MHz
     *内部软启动功能
     *使能功效
    
    价格及供货情况
    
     美国国家半导体的 LM3475 芯片以 1,000 颗为采购单位,每颗售 0.40 美元。
    
    

(编辑 keil)

    
    
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