三星电子制成1-Gbit DDR芯片级封装元件

来源：http://news.hqew.com/info-126062.html 发布时间：2003-09-05

摘要： (华强电子世界网讯)南韩汉城消息--业界领先的多芯片封装技术开发商三星电子周三向外界宣布，已经研制出一种封装了两个512M DDR SDRAM在内的芯片组，该同步DRAM速率可达1-Gbit。三星称：该芯片可与DDR 266和DDR 333挂接，外观...

    (华强电子世界网讯)南韩汉城消息--业界领先的多芯片封装技术开发商三星电子周三向外界宣布，已经研制出一种封装了两个512M DDR SDRAM在内的芯片组，该同步DRAM速率可达1-Gbit。三星称：该芯片可与DDR 266和DDR 333挂接，外观尺寸为11.5毫米和12毫米，达到JEDEC DDR芯片组规格。

     三星还表示，运用同样的技术，可以制造出由两个1-Gbit DDR SDRAM组装而成的2-Gbit速率的DDR芯片级封装元件，但三星未透露是否有此项计划以及投入研制的具体时间。

(编辑汪风)

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