（华强电子世界网讯）日前，德州仪器 (TI)推出将 DC/DC 开关模式控制器与线性压降调节器 (LDO) 进行完美结合的新型集成电路 (IC)，如今，双数据速率 (DDR) 以及 DDR II内存系统的设计人员可采用该产品集成到他们的设计中以提高电源效率。在诸如笔记本与台式电脑、显卡以及游戏机等应用中，该款高度集成的器件可大幅减少支持所有 DDR 系统（如 Micron 的 DDR 以及 DDR II）电源管理所需的外部组件数。
    
    

    
     TI 的新型 TPS51116 集成了可驱动 VDDQ 的同步电流模式 DC/DC 控制器，还集成了一个可驱动 VTT 的 3-A 线性压降 (LDO) 调节器，以及一个缓冲参照 VTTREF。它是一套完整的 DDR 电源解决方案，与 DDR 与 DDR II JEDEC 规范完全兼容，通过包括用于转换开关的电力系列，仅添加 7 个外部电阻与电容即可实现该解决方案，而目前的同类竞争系统则要采用 18 个乃至更多分离式电源管理组件。TPS51116 具有优秀的轻负载效率，在 10 ma 时可实现超过 85% 的 VDDQ 效率。高性能 LDO 可吸收或提供 3A 峰值电流，同时只需要 2x10µF 的陶瓷输出电容器。
    
     内置于 TPS51116 的转换开关采用称作 D-CAP™模式的控制技术实现 100 纳秒 (ns) 的负载变动幅度瞬态响应，并减少外部输出电容器的数量。D-CAP 模式还消除了采用外部回路补偿的麻烦；但是，如果要求更多控制的话，可以改变 TPS51116 的回路补偿，以支持任何类型的输出电容器（其中包括陶瓷电容器）。集成的 LDO 要求2x10-µF的陶瓷输出电容器，可通过减小输入电压来大幅降低系统功耗。VDDQ 电压电平能够支持许多设计类型，其可调节电压能够为 DDR 提供 2.5V 的固定电压，或为 DDR II 提供 1.8 V 的固定电压。
    
     除了具有高性能之外，TPS51116 还可管理睡眠状态控制功能以提高 DDR内存系统的可靠性。该集成特性可内部进行控制功能设计，而非花费更多的时间进行外部设计，这就相应加快了产品的上市时间。此外，TPS51116 可确保 VTT 低于 VDDQ，这就进一步提高了 DDR 的可靠性。
    
    TPS51116 的关键技术特性：
    
     ·宽泛的输入电压范围：3 V 至 28 V；
     ·D-CAP™模式，可实现 100ns 的负载变动幅度响应；
     ·VTT & VTTREF 的精度范围为 +/- 20-mV；
     ·睡眠模式操作，并带有输出放电的可选择软关闭；
     ·就 VTT 而言仅要求一个 2x10µF 陶瓷输出电容器；
     ·过热关断、电源状态良好指示、过压保护以及欠压保护等功能；
     ·符合 DDR 以及 DDR II JEDEC 规范。
    
     除了高度集成的 TPS51116 之外，TI 还推出了 3-A 吸收/提供跟踪终结调节器，其采用 10 引脚 MSOP 封装，是专门为小空间为首要设计任务的低成本 DDR 与 DDR II 系统而精心设计的。TPS51100 包括许多与 TPS51116 器件的 LDO 部分相同的特性，其中包括 2x10uF 陶瓷输出电容器及远程传感功能。可降低 3A 终结调节器的输入，这样有助于减小系统的总功耗。如欲了解更多详情，敬请访问：www。ti。com/sc04089a。
    
    供货情况
    
     TPS51116 DDR电源 IC 已投入量产，目前可通过 TI 及其授权分销商进行订购。该器件采用 20 引脚 PowerPADä HTSSOP 封装。批量为千件时，建议零售单价为 1.20 美元。TPS51100 低成本 DDR 电源 IC 目前已开始供货，批量为千件时的单价为 0.80 美元。