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快捷半导体双N和双P信道MOSFET BGA封装组件

来源:http://news.hqew.com/info-126001.html 发布时间:2002-09-25

摘要: (华强电子世界网讯)快捷半导体公司日前推出两款新型双N通道和两款新型双P通道20V MOSFET BGA(球型栅数组)封装组件,该组件具备的物理和电气性能特性非常适合锂离子电池组保护应用。&...

    

(华强电子世界网讯)快捷半导体公司日前推出两款新型双N通道和两款新型双P通道20V MOSFET BGA(球型栅数组)封装组件,该组件具备的物理和电气性能特性非常适合锂离子电池组保护应用。
    
     这四款组件(FDZ2551N、FDZ2553N、FDZ2552P和FDZ2554P)均采用具有共汲极连接的4 x 2.5mm表面安装MOSFET BGA封装。BGA封装的特点包括封装尺寸小(10mm2)、极薄(最大安装高度为0.8mm)、优异的RDS(on)值和出色的热性能。而且,这种封装能够通过顶部散热,进一步提升组件性能。
    
     除将锂离子电池组保护电路的尺寸和性能最佳化外,双N和双P信道MOSFET BGA封装组件能够有效地满足其它空间敏感和性能导向负载管理产品的要求,这些产品适用于计算机/EDP、通讯、便携式设备、工业设备和无线通讯设备,如蜂巢式电话手机、PDA、网络图形输入卡、MP3播放机,以及可携式POS终端。
    
     FDZ2551N、FDZ2553N、FDZ2552P和FDZ2554P采用卷带包装供货。现已有样品提供及量产出货,大量订单所需的预订时间为8周或以上。
    
    
产品价格及信息:

    

    
(编辑 Mark)

    
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