（华强电子世界网讯）RF Micro Devices(RFMD)公司日前宣布推出五种可用于码分多址(CDMA)无线手机和其它手机系统的线性功率放大器(PA)，分别是RF6100-1、RF6100-2、RF6100-3、RF6100-3k和RF6100-4。4×4毫米功率放大器模块具有很高的效率和线性度，是用RF Micro Devices开发的砷化镓(GaAs)异质结双极型晶体管 (HBT)处理技术制作的。
    
     该系列中的各功率放大器模块均有50欧姆输入和输出匹配，并在设计上符合CDMA IS-95、CDMA2000 1x和CDMA2000 1x EV-DO空中接口标准。功率放大器模块系列提供多种参考电压和输出功率选择，以适应现行和下一代CDMA基带芯片组的要求。此外，RF6100-4 PCS功率放大器模块已经过优化，可提供业内领先的29dBm输出功率，以支持全球定位系统(GPS)等其它功能，并可使用成本低、体积小的双工器作为代用产品。
    
     由于将多重被动元器件整合到GaAs HBT芯片，可利用只含一个介电层的两层覆板技术，其成本大大低于大多数功率放大器模块中使用的四层覆板和多层LTCC技术。集成无源元件(IPC)设计结构可减少分立元器件数目，降低产品复杂性，有利于降低成本，改善产出率，同时可增加手机的半导体含量，而半导体含量增加则可提高容量利用率。随着下一代模块在市场上推广，并在模块销售中占有越来越大的百分比，上述各项优势预期将改善毛利润。