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凌特推出双通道理想二极管

来源:http://news.hqew.com/info-125585.html 发布时间:2004-12-01

摘要: (华强电子世界网讯)凌特公司(Linear Technology)推出双通道理想二极管 LTC4413,它特别针对减少热量、压降与占板面积及延长电池使用时间而设计。该器件非常适用于需要理想二极管“或”功能来实现负载共享或两个输入电源间自动切换的应用。...

    (华强电子世界网讯)凌特公司(Linear Technology)推出双通道理想二极管 LTC4413,它特别针对减少热量、压降与占板面积及延长电池使用时间而设计。该器件非常适用于需要理想二极管“或”功能来实现负载共享或两个输入电源间自动切换的应用。通过配备多个智能电路,LTC4413 能够对每个理想二极管的使用加以控制(允许调整切换电压),并指示所选理想二极管是否导通。它还具有限流和热保护以及保护器件免受电压尖峰破坏的慢关断功能。耐热增强型 3mm × 3mm DFN 封装允许在 2.5V 至 5.5V 输入电源时为每通道提供高达 2.6A 的电流。LTC4413 在 500mA 和 2A 时分别具有 80mV 和 210mV 的低正向电压,泄漏电流仅为 1uA,较分立二极管“或”解决方案有极大改进。LTC4413 特别针对手持产品、具有 USB 接口或备用电池的系统而设计。
    
     LTC4413 含有两个 100mOhm 的 P 沟道 MOSFET。输出电流高达 1A 时,静态电流低于 40uA。如果两个输出电压中的其中一个超过其输入电压,这个 MOSFET 就被关断,低于 1uA 的反向电流将从 OUT 流向 IN。每个 MOSFET 的最大正向电流限制在恒定 2.6A,内部热限制电路在出现故障时可保护器件。9uA 漏极开路 STAT 引脚指示所选通道的导通状态,并可用于驱动外部 P 沟道 MOSFET 以控制第三个备用电源。
    
     LTC4413 额定工作温度范围为 –40oC 至 85oC,采用 10 引线 3mm × 3mm DFN 封装。以 1,000 片为单位批量购买,每片起价为 2.15 美元。
    
    性能概要:LTC4413
    
     • 双通道理想二极管“或”或负载共享
     • 为“或”二极管提供了一个低损耗的取代方案
     • 在 3.6V 时的 100mOhm 低正向导通电阻
     • 低反向泄漏电流
     • 稳定的 28mV 低正向电压
    


    
(编辑 keil)

    
    
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