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凌特推出采用外部MOSFET的电子断路器

来源:http://news.hqew.com/info-125095.html 发布时间:2005-04-26

摘要: (华强电子世界网讯)凌特公司(Linear Technology)推出采用外部 MOSFET 的 RDS(ON) 检测负载电流的电子断路器 LTC4213,从而去除了对检测电阻的需求。这种新方法不仅降低了开关通路上的电压和功率损耗,而且降低了成本并简...

    (华强电子世界网讯)凌特公司(Linear Technology)推出采用外部 MOSFET 的 RDS(ON) 检测负载电流的电子断路器 LTC4213,从而去除了对检测电阻的需求。这种新方法不仅降低了开关通路上的电压和功率损耗,而且降低了成本并简化了设计。这尤其有利于低电压系统,因为检测电阻电压降占去了极大部分电源电压。就超低电压应用而言,LTC4213 工作在 2.3V 至 6V 的偏置电源电压范围,并监视从地到 6V 的电压。
    
     该电子断路器提供 3 个引脚可选的 VDS 门限,分别为 25mV、50mV 和 100mV。所选择的引脚可以动态步进,从而在启动时允许更高断路器门限,并在电源电流稳定后降低门限。该断路器还通过集成快慢比较器,提供用于过流保护的双电平和双响应时间功能。这样一来,通过区分轻微过流故障或灾难性的短路状态,进一步提高了断路器的性能。
    
     LTC4213 的精确性能使其非常适用于需要连续低压电源保护的系统。LTC4213 采用 12 引线 DFN 封装,规定工作于商用和工业温度范围,以 1,000 片为单位批量购买,每片起价为 1.50 美元。
    
    性能概要:LTC4213
    
     • 无需检测电阻
     • 把负载电压控制在 0V 至 6V
     • 响应时间为 1us 的快速断路器
     • 3个可选断路器门限
     • 双电平过流保护
     • 用于外部 N 沟道 FET 的高端驱动
     • 欠压闭锁
     • 断路器待命中断时 READY 引脚发出信号
     • 小型塑料(3mm×2mm)DFN 封装
    


    
    
(编辑 keil)

    
    
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