(华强电子世界网讯)摩托罗拉公司日前展示了全球第一个基于硅纳米晶体的4Mb存储器件。这一全功能4Mb测试样片的出现，标志着半导体工业在开发浮栅式闪存的替代品道路上，实现了历史性的突破。研究人员相信，同浮栅式闪存相比，硅纳米晶体存储器体积能做得更小、稳定性更高，同时也更节能。
    
     硅纳米晶体存储器属于先进的“薄膜存储器”中的一种，摩托罗拉已经开发出相关技术以简化这些存储器件的制造。它通过采用常规的硅积沉技术设备，在两层氧化物之间积沉了直径为50埃的球形硅纳米晶体。在常规的浮栅式非易失性存储器中，单一的氧化缺陷会导致整个电荷的丢失。因此硅纳米晶体采用了特别的设计，使得该晶体能够积蓄电荷，也能有效的防止电荷向其它的绝缘纳米晶体移动，从而不会发生电荷丢失现象，大大提高了存储器的可靠性和灵活性。
    
     目前，研究人员正集中精力减小裸片的大小，同时加紧制定技术规范，以便有可能在2004年实现量产。